尚阳通申请功率器件专利，能使主芯片对应的有源区面积得到保证

金融界 2024 年 12 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“功率器件”的专利，公开号 CN 119153517 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率器件，同时集成有主和辅助 MOSFET，辅助 MOSFET 作为电流检测传感器。
主 MOSFET 的衬垫包括位于正面的栅极衬垫和主源极衬垫以及位于背面的漏极衬垫。
辅助 MOSFET 和辅助源极衬垫以及和主 MOSFET 共用栅极衬垫和漏极衬垫。
功率器件的版图布局结构包括：呈矩形的有源区。
栅极衬垫和辅助源极衬垫的设置区域位于靠近有源区的第一边缘处的有源区的选定区域的顶部，栅极衬垫和辅助源极衬垫之间具有间隔；主源极衬垫位于栅极衬垫和辅助源极衬垫外的有源区的顶部；主源极衬垫的面积大于辅助源极衬垫的面积。
辅助 MOSFET 位于辅助源极衬垫底部的有源区中。
本发明能和传感器集成，能提高器件的可靠性以及不会影响功率器件的芯片功能，能使主芯片对应的有源区面积得到保证。
本文源自：金融界作者：情报员